[发明专利]含碳的溅射靶合金组合物无效
申请号: | 200510114067.9 | 申请日: | 2005-10-18 |
公开(公告)号: | CN1807679A | 公开(公告)日: | 2006-07-26 |
发明(设计)人: | 阿卜杜勒瓦哈卜·齐亚尼;迈克尔·莱思罗普;弗朗索瓦·C·达里 | 申请(专利权)人: | 黑罗伊斯有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 樊卫民;杨青 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了溅射靶材料,该溅射靶材料包括含Cr-C、Cr-M-C或Cr-M1-M2-C的合金体系,其中C占至少0.5到至多20原子%;M占至少0.5到至多20原子%并且是选自Ti、V、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W的元素;M1占至少0.5到至多20原子%并且是选自Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W的元素;且M2占至少0.5到至多10原子%并且是选自Li、Mg、Al、Sc、Mn、Y和Te的元素。本发明还提供了包括衬底和至少底层的磁记录介质,所述底层包括本发明的溅射靶材料。本发明进一步提供了生产溅射靶材料的方法。该方法可使用包括元素组合的粉末材料,所述材料可包括铬合金、碳化物或含碳母合金。 | ||
搜索关键词: | 溅射 合金 组合 | ||
【主权项】:
1.包括合金体系的溅射靶材料,所述合金体系包括Cr-C、Cr-M-C或Cr-M1-M2-C,其中C占至少0.5到至多20原子%;M占至少0.5到至多20原子%并且是选自Ti、V、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W的元素;M1占至少0.5到至多20原子%并且是选自Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W的元素;且M2占至少0.5到至多10原子%并且是选自Li、Mg、Al、Sc、Mn、Y和Te的元素。
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