[发明专利]哑元图案和机械增强低K介电材料的制造方法无效
| 申请号： | 200510111998.3 | 申请日： | 2005-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1988146A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供包括表面区域的半导体衬底。该方法形成覆盖在表面区域上的第一层间介电层和覆盖在第一层间介电层上的互连层。该方法还形成了覆盖在互连层上的低K介电层，它具有预定形状。该方法形成覆盖在低K介电层上的铜互连层。在优选实施方案中，低K介电层采用在部分低K介电层内提供的哑元图案结构维持预定形状为了机械支撑和维持互连层和铜互连层之间的低K介电层的预定形状。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 机械 增强 材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体器件，包括：包括表面区域的半导体衬底；覆盖在所述表面区域上的第一层间电介质；覆盖在所述第一层间介电层上的互连层；覆盖在所述互连层上的低K介电层；作为所述低K介电层特征的预定形状；覆盖在所述低K介电层上的铜互连层；和在部分所述低K介电层内的哑元图案结构，用来提供机械支撑来维持所述低K介电层的所述预定形状，所述预定形状被维持在所述互连层和所述铜互连层之间。
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