[发明专利]一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法，它可以有效保护自对准难溶金属硅化合物阻挡层。它至少依次包括以下步骤：NMOS，PMOS源漏注入；自对准难溶金属硅化合物阻挡层生长；涂胶；自对准难溶金属硅化合物阻挡层掩膜版光罩；湿法刻蚀；干法去胶；湿法去胶；源漏扩散退火。因为本发明将源、漏扩散退火这一过程放置到salicide生长前的HF处理之前，利用源、漏扩散退火对自对准难溶金属硅化合物阻挡层的致密化作用，大大减轻了Salicide形成前的HF刻蚀对Salicide block的刻蚀作用，从而起到了保护Salicide block的作用；另外，由原工艺的干法刻蚀更新为更为简单的湿法刻蚀，大大缩短了硅片的生产周期。

主权项

1、一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法，其特征在于，它至少包括以下步骤：第一步，NMOS、PMOS源漏注入；第二步，自对准难溶金属硅化合物阻挡层生长；第三步，涂胶；第四步，自对准难溶金属硅化合物阻挡层掩膜版光罩；第五步，刻蚀；第六步，干法去胶；第七步，湿法去胶；第八步，源、漏扩散退火。