[发明专利]发光二极管芯片有效
| 申请号： | 200510108211.8 | 申请日： | 2005-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1945861A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 陈铭胜;武良文;简奉任 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 台湾省桃园县龙潭乡*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管芯片，其包括基板、静电传导层、第一型掺杂半导体层、活性层、第二型掺杂半导体层、第一电极与第二电极。其中，静电传导层设置于基板上，而第一型掺杂半导体层设置于静电传导层的部分区域上。此外，活性层设置于第一型掺杂半导体层的部分区域上，而第二型掺杂半导体层设置于活性层上。另外，第一电极设置于第一型掺杂半导体层上，而第二电极设置于第二型掺杂半导体层上。本发明之发光二极管芯片具有静电传导层，因此可以避免发光二极管遭受静电放电破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于包括：基板；静电传导层，设置于该基板上；第一型掺杂半导体层，设置于该静电传导层的部分区域上；活性层，设置于该第一型掺杂半导体层的部分区域上；第二型掺杂半导体层，设置于该活性层上；第一电极，设置于该第一型掺杂半导体层上；以及第二电极，设置于该第二型掺杂半导体层上。
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