[发明专利]集成电路和其被动元件及形成此被动元件的方法

摘要

本发明是关于一种集成电路和其被动元件及形成此被动元件的方法，该集成电路包括一主动元件，具有一金属闸电极沉积在一基板上；一由半导体材料所形成的被动元件，形成于邻近此主动元件处的基板上；一介电层位于该被动元件和基板间，用以隔离两者。该被动元件的方法，其至少包括以下步骤：形成一闸极介电层在一半导体基板上；形成一金属闸极电极在该闸极介电层上；沉积一介电层在该金属闸极电极之上；沉积一半导体层在该介电层之上；以及图案化该半导体层和该介电层用以形成一被动元件。本发明的被动元件制造方法不会占据额外的布局区域，并且可以解决不容易熔断的问题。

主权项

1、一种集成电路，其特征在于其至少包括：一主动元件，具有一金属闸极电极沉积在一基板上；一被动元件，是由一半导体材料所形成，形成在该基板上的该主动元件附近；以及一介电层位于该被动元件和该基板间用以分隔两者。