[发明专利]半导体表面的覆盖方法及其应用无效
| 申请号： | 200510097842.4 | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1744336A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 山本和重 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体表面的覆盖方法及其应用。在含有4族元素的半导体材料的表面上，使由碱金属和芳香族化合物构成的电荷转移络合物在不活泼溶剂中进行反应，用碱金属覆盖了上述半导体材料的表面后，使由从4族元素及过渡金属元素构成的组中选择的元素和电子吸引基构成的含有电子吸引基的化合物进行反应，用4族元素或过渡金属元素覆盖上述半导体材料的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 覆盖 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1、一种半导体表面的覆盖方法，其特征在于：在含有从由硅、锗、碳和锡构成的组中选择的4族元素而构成的半导体材料的表面上，使由碱金属和芳香族化合物构成的电荷转移络合物在不活泼溶剂中进行反应，用碱金属覆盖了上述半导体材料的表面后，使由从4族元素及过渡金属元素构成的组中选择的元素和电子吸引基构成的含有电子吸引基的化合物进行反应，用4族元素或过渡金属元素覆盖上述半导体材料的表面。
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