[发明专利]半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 200510096594.1 | 申请日： | 2005-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1741294A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 仓桥孝尚;村上哲朗;大山尚一;山本修 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。该半导体发光器件包括n型电流扩散层3、n型AlInP覆层4、量子阱有源层5、p型AlInP覆层6、p型AlGaInP中间层7、p型GaInP结合接触层8、和结合到结合接触层8的p型GaP衬底10。p型GaP衬底10在量子阱有源层5的相对侧上具有倾斜的表面10a。量子阱有源层5中产生的且在LED中的反射表面上全反射的光束可以从倾斜的表面10a发射到外部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光器件，包括以如下顺序形成的层：第一导电型第一半导体层；发射层；第二导电型第二半导体层；和第二导电型透明衬底，所述第二导电型透明衬底对来自所述发射层的光束透明，且直接结合到所述第二半导体层；其中，所述透明衬底具有几乎与所述发射层平行的在所述发射层的相对侧上的平行表面，和邻接所述平行表面且倾斜于所述平行表面的倾斜表面。
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