[发明专利]微电池及其制作方法无效
| 申请号： | 200510096228.6 | 申请日： | 2005-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1787232A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 苑伟政;乔大勇;孙磊;秦冲;吕湘连 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 黄毅新 |
| 地址： | 710072陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微电池以及制作方法，用来解决现有技术中放射源与能量转换结构接触面积小、放射源与能量转换结构之间接触方式简单而导致的电池工作状态不稳定的问题，其特征在于：在N型区(1)上有二维2×2～20×20的垂直侧壁方孔(2)阵列；在垂直侧壁方孔(2) 的表面是P型区(3)，在P型区(3)上面是电镀区(5)；在N型区(1)的一边留出N型区电极(4.1)区和P型区电极(4.2)区。由于本发明采用了垂直侧壁方孔阵列结构，使放射源与能量转换结构接触面积相比现有技术增大了171％，有益于电池电流的增加；采用电镀区结构，使得放射源与能量转换结构的接触方式多样化，也增强了放射源在工作状态下的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种微电池，包括N型区(1)和P型区(3)，其特征在于：在N型区(1)上有二维2×2～20×20的垂直侧壁方孔(2)阵列；在垂直侧壁方孔(2)表面是的P型区(3)，在P型区(3)上面是电镀区(5)；在N型区(1)的一边留出N型区电极(4.1)区，在P型区(3)以内电镀区(5)以外留出P型区电极(4.2)区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
