[发明专利]静电放电防护装置与其制造方法

摘要

本发明是有关于一种静电放电防护装置与其制造方法。在实施例中，静电放电防护装置至少包括形成在基材中的齐纳二极管以及形成相邻于齐纳二极管的N型金氧半导体装置。齐纳二极管具有两个掺杂区、位于两个掺杂区之间的具有接地电位的闸极以及形成在基材中的两个轻掺杂汲极特征。轻掺杂汲极特征的其中之一者是位于两个掺杂区的每一者与闸极之间。NMOS装置至少包括形成于基板中的源极与汲极以及位于源极与汲极之间的第二闸极。

主权项

1、一种静电放电防护装置，其特征在于其至少包括：一齐纳二极管区，位于一基材中，其中该齐纳二极管区至少包括：一第一掺杂区与一第二掺杂区，形成于该基材中；一第一闸极，设置于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，该第一闸极具有一浮动电位；及一第一轻掺杂汲极特征与一第二轻掺杂汲极特征，形成于该基材中，其中该第一轻掺杂汲极特征是设于该第一掺杂区与该第一闸极之间以及该第二轻掺杂汲极特征设于该第二掺杂区与该第一闸极之间；以及一N型金氧半导体装置，位于相邻该齐纳二极管区的该基材中，其中该NMOS装置至少包括：一源极与一汲极，形成于该基材中；及一第二闸极，设置于该源极与该汲极之间。