[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法与操作方法无效
| 申请号： | 200510092129.0 | 申请日： | 2005-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1917184A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 翁伟哲;杨青松 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/8247;H01L21/336;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非挥发性存储器，至少是由基底、存储单元与源极/漏极区所构成的。存储单元设置于基底上，存储单元至少包括第一存储单元与第二存储单元。其中，第一存储单元由基底起包括浮置栅极与第一控制栅极。第二存储单元设置于第一存储单元的一侧壁，第二存储单元包括电荷陷入层与第二控制栅极。源极/漏极区设置于存储单元两侧的基底中。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发性存储器，包括：一基底；一存储单元，设置于该基底上，该存储单元包括：一第一存储单元，该第一存储单元由该基底起至少包括一浮置栅极与一第一控制栅极；一第二存储单元，设置于该第一存储单元的一侧壁，该第二存储单元由该基底起包括一电荷陷入层与一第二控制栅极；以及一源极/漏极区，设置于该存储单元两侧的该基底中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
