[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 200510091142.4 | 申请日： | 2005-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1909188A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 森末将文;藤井厳 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/208;H01L21/288;H01L21/31;H01L21/3205;C23C26/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 徐迅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种可以简单的步骤制造具有绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的衬底的方法，以及以低成本、高产量、高成品率来制造半导体器件的方法。本发明的半导体器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成第一膜；在所述第一膜上排放含有掩模材料的溶液以在所述第一膜上形成掩模；使用所述掩模对所述第一膜进行图案化以在所述衬底上形成低润湿性区域和高润湿性区域；去除所述掩模；以及，向夹在所述低润湿性区域之间的高润湿性区域中排放含有绝缘膜、半导体膜或导电膜材料的溶液，以形成绝缘膜、半导体膜或导电膜的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一膜；在所述第一膜上排放含有掩模材料的溶液以在所述第一膜上形成掩模；使用所述掩模对所述第一膜进行图案化以在所述衬底上至少形成低润湿性区域和高润湿性区域；去除所述掩模；以及向提供在所述低润湿性区域之间的高润湿性区域中排放含有材料的溶液，以形成被图案化的薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
