[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510089497.X | 申请日： | 2005-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1917176A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 王炳尧;赖亮全 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/8247;H01L21/336;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非挥发性存储器的制作方法，首先，提供一基底，此基底具有一沟槽，其中此沟槽将用以形成沟槽式元件。接着，于沟槽中的基底上形成一层掺杂硅化金属层。然后，进行加热工艺，以于掺杂硅化金属层下方的基底中形成源极/漏极区。之后，于掺杂硅化金属层上形成第一导体层并填满沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性存储器的制作方法，包括：提供一基底，该基底具有一沟槽，其中该沟槽将用以形成一沟槽式元件；于该沟槽中的该基底上形成一掺杂硅化金属层；进行一加热工艺，以于该掺杂硅化金属层下方的该基底中形成一源极/漏极区；以及于该掺杂硅化金属层上形成一第一导体层并填满该沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
