[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200510088671.9 | 申请日： | 2005-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1909252A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 温伟值;林艺峰;曾焕哲;潘锡明;简奉任;黄国瑞;宋文洲 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 包红健 |
| 地址： | 台湾省桃园县龙潭乡*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其制造方法，此发光二极管包括基板、第一型掺杂半导体层、发光层、第二型掺杂半导体层、第一介电层、第一导电插塞、第一电极及第二电极。其中，第一型掺杂半导体层是设置于基板上，且发光层及第二型掺杂半导体层是依次设置于部分第一型掺杂半导体层上。第一介电层是设置于未被发光层覆盖的部分第一型掺杂半导体层上，且设置于第一介电层上的第一电极是通过位于第一介电层中的第一导电插塞而电连接于第一型掺杂半导体层。此外，第二电极则是电连接于第二型掺杂半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征是包括：基板；第一型掺杂半导体层，设置于该基板上；发光层，设置于部分该第一型掺杂半导体层上；第二型掺杂半导体层，设置于该发光层上；第一介电层，设置于未被该发光层所覆盖的部分该第一型掺杂半导体层上；第一导电插塞，贯穿该第一介电层而与该第一型掺杂半导体层电连接；第一电极，设置于该第一介电层上，以通过该第一导电插塞而与该第一型掺杂半导体层电连接；以及第二电极，电连接于该第二型掺杂半导体层。
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