[发明专利]次常压化学气相沉积技术形成无缝浅沟渠绝缘区域的工艺有效
| 申请号： | 200510087989.5 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1905154A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 许绍达;陈能国;蔡腾群 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种沟渠绝缘区域工艺，首先于一半导体衬底中形成一绝缘沟渠；进行次常压化学气相沉积(SACVD)工艺，于该半导体衬底上沉积一硅氧层，并填满该绝缘沟渠，该硅氧层于该绝缘沟渠中形成一接缝；进行一低温蒸气退火工艺，在氢气/氧气环境中消除该接缝；最后进行一高温退火工艺，在温度高于900℃的惰性气体环境中致密化该硅氧层。 | ||
| 搜索关键词： | 常压 化学 沉积 技术 形成 无缝 沟渠 绝缘 区域 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种沟渠绝缘区域工艺，包括以下步骤：提供一半导体衬底，其上形成有一遮蔽层；进行一光刻以及蚀刻工艺，于该遮蔽层中形成一开口，暴露出部分的该半导体衬底；经由该开口蚀刻该半导体衬底，形成一绝缘沟渠；进行次常压化学气相沉积工艺，于该半导体衬底上沉积一硅氧层，并填满该绝缘沟渠，该硅氧层于该绝缘沟渠中形成一接缝；进行一低温蒸气退火工艺，在氢气/氧气环境中以及退火温度低于800℃的条件下，消除该接缝；以及进行一高温退火工艺，在温度高于900℃的惰性气体环境中致密化该硅氧层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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