[发明专利]可控制保持电流的静电放电装置无效
| 申请号： | 200510087180.2 | 申请日： | 2005-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1905185A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 黄志丰;杨大勇;林振宇;简铎欣 | 申请（专利权）人： | 崇贸科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有寄生硅控整流器(SCR)结构与可控制保持电流的静电放电(ESD)装置。一第一N+型掺杂区与一第一P+型掺杂区之间的距离是为一第一距离。一第二P+型掺杂区与一第三N+型掺杂区之间的距离是为一第二距离。藉由调整该第一距离与该第二距离，可将该静电放电装置的一保持电流设定为特定值。该静电放电装置的该保持电流是与该第一距离、该第二距离成反比关系。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 保持 电流 静电 放电 装置 | ||
【主权项】：
1、一种可控制保持电流的静电放电装置，其特征在于其包括：一P型基板；一N型井，形成于该P型基板中；一第一N+型掺杂区，是形成于该N型井中；一第一P+型掺杂区，是形成于该N型井中，该第一P+型掺杂区与该第一N+型掺杂区之间的距离是为一第一距离；一第二N+型掺杂区，是形成于该第一P+型掺杂区以及一第一场氧化层之间；一第三N+型掺杂区，形成于该P型基板中以及该N型井外，其中该第三N+型掺杂区与该N型井不相接触，其中该第三N+型掺杂区是由该第一场氧化层与该第二N+型掺杂区相隔离；一第二P+型掺杂区，是形成于该P型基板中以及该N型井外，其中该第二P+型掺杂区与该N型井不相接触，并且该第二P+型掺杂区与该第三N+型掺杂区之间的距离为一第二距离，其中藉由调整该第一距离与该第二距离，而决定该静电放电装置的一保持电流；一第一电极，其经由一第一电性导体连接该第一P+型掺杂区与该第一N+型掺杂区；以及一第二电极，其经由一第二电性导体连接该第三N+型掺杂区与该第二P+型掺杂区。
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