[发明专利]半导体电路无效
申请号: | 200510084171.8 | 申请日: | 2005-07-14 |
公开(公告)号: | CN1835391A | 公开(公告)日: | 2006-09-20 |
发明(设计)人: | 松田笃 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵淑萍 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体电路。其中带隙参考电路通过如下方式来配置:将基极和集电极被接地的晶体管的发射极连接到内部电路,并且将基极和集电极被接地的另一晶体管的发射极经由电阻器连接到内部电路,该电阻器具有相对于绝对温度的正温度相关性,以便保证能够产生具有很小温度相关性的恒定输出电流,而无需提供任何电压电流转换电路,并且无需产生恒定输出电压,同时抑制电路规模的扩大,而基于允许降低电源电压的电路配置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 电路 | ||
【主权项】:
1.一种半导体电路,包括:第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和第二晶体管的基极和集电极分别接地;电阻器,所述电阻器的一端连接到所述第二晶体管的发射极;内部电路,所述第一晶体管的发射极和所述电阻器的另一端分别连接到所述内部电路,使得由于内部反馈操作,各互连点处的电势保持在相同的电平上;以及第三晶体管,所述第三晶体管被提供了来自所述内部电路的输出,并且对应于所接收到的输出,将输出电流输出到外部;其中,所述电阻器具有相对于绝对温度的正温度相关性。
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