[发明专利]横向双扩散金氧半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510084136.6 | 申请日： | 2005-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1825551A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 许嘉伦;刘慕义;卢道政;杨怡箴;陈冠博 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种横向双扩散金氧半导体元件及其制造方法。此方法包括下面步骤：(a)提供第一导电型的基底；(b)于基底中形成第二导电型的井区，此井区具有极陡峭退后的井轮廓，在其中的掺杂浓度随着深度改变，而于井区的表面区域提供比位于井区的表面区域下面的区域低的淡掺杂浓度；(c)形成闸极层，其部分覆盖井区以及与井区绝缘；以及(d)于井区形成源极区以及汲极区其中之一。此SSR的井区的存在可以提供一较淡的表面掺杂以而可获得具有高崩溃电压的LDMOS，以及可以提供较浓的次－表面掺杂以降低导通阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种横向双扩散金氧半导体元件的制造方法，其特征在于其包括下面步骤：(a)提供一第一导电型的一基底；(b)于该基底中形成一第二导电型的一井区，该井区具有一极陡峭退后的井轮廓，在其中的一掺杂浓度随着深度改变，而于该井区的一表面区域提供比位于该井区的该表面区域下面的一区域低的一淡掺杂浓度；(c)形成一闸极层，其部分覆盖该井区以及与该井区绝缘；以及(d)于该井区形成一源极区以及一汲极区其中之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
