[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200510082137.7 | 申请日： | 2005-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1755904A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 小内聪;寺中志敦 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/283;H01L29/73;H01L21/76;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。目前存在埋入扩散层在其他的热处理工序中超出必要而爬上，而不能得到所希望的耐压特性的问题。在本发明中，形成N型埋入扩散层(2)后，为了将用于元件间隔离等的槽部(8)的角部(9)圆化，而进行干式蚀刻。进而，由采用例如CVD法的NSG膜(10)添埋槽部(8)，构成隔离区域的沟槽(12)由采用例如CVD法的HTO膜(13)及多晶硅膜(14)添埋。通过该制造方法，可抑制N型埋入扩散层(2)超出必要而爬上，得到具有所希望的耐压特性的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在形成有集电极埋入扩散层的半导体层上形成槽，通过蚀刻除去至少位于所述槽的上端部的所述半导体层；通过气相生长法由第一绝缘膜添埋所述槽后，从所述第一绝缘膜表面形成沟槽，通过气相生长法由第二绝缘膜添埋所述沟槽，研磨所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜；自所述半导体层表面形成集电极扩散层、基极扩散层及发射极扩散层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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