[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法。目前，存在来自与基极区域相邻的槽部的结晶缺陷导致集电极－基极间产生接合漏电流的问题。在本发明中，在氧化硅膜(15)及TEOS膜(16)上形成开口部(17)，距槽部(8)的上端部(18)具有隔开距离(t1)。利用开口部(17)形成基极引出电极(21)。然后，从基极引出电极(21)通过固相扩散形成外部基极区域(19)。此时，在外部基极区域(19)和槽部(8)的上端部(18)具有隔开距离(t2)。通过该制造方法，可抑制集电极－基极间产生接合漏电流。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在半导体层上面形成在所希望的区域设有第一开口部的第一绝缘膜，通过该第一开口部在所述半导体层上形成槽；除去所述第一绝缘膜的一部分，使所述半导体层的上端部从所述槽附近区域露出；将所述第一绝缘膜作为耐蚀刻掩模使用，蚀刻所述半导体层，以除去所述半导体层的上端部；在由第二绝缘膜添埋所述槽后，以所述第一绝缘膜为阻止膜，研磨所述第二绝缘膜。