[发明专利]双向光控晶闸管芯片、光起弧耦合器及固体继电器

摘要

配置双向光控晶闸管芯片(31)的2个运行沟道CH1、CH2，以便使它们不交叉、相互隔离。并且，在N型硅衬底上左侧的P栅扩散区(23)和右侧的P栅扩散区(23′)之间，即在CH1和CH2之间形成由掺杂了磷的掺氧半绝缘多晶硅膜(35a)而构成的沟道隔离区(29)。因此，使上述N型硅衬底表面中的沟道隔离区(29)附近的硅界面能级(Qss)增大，在上述区域中使N型硅衬底表面内的少数载流子即空穴湮灭。其结果，当CH1处于截止时刻以便对CH2侧施加相反相位的电压的情况下，虽然没有光入射但仍能够防止CH2导通的整流失败，并能够提高整流特性。

主权项

1、一种双向光控晶闸管芯片，其特征在于，作为一种半导体芯片，包括：第一导电类型的衬底；以及一对光控晶闸管部分，该一对光控晶闸管部分含有在上述第一导电类型的衬底表面上同时设置的第二导电类型的第一扩散层、上述第二导电类型的第二扩散层、在此第二扩散层内形成的上述第一导电类型的第三扩散层，其中上述一对光控晶闸管部分之中的一个光控晶闸管部分配置在上述半导体芯片的一侧，另一方面，另一个光控晶闸管部分配置在上述半导体芯片的另一侧；构成上述一个光控晶闸管部分的上述第一扩散层与构成上述另一个光控晶闸管部分的上述第二扩散层及第三扩散层相对置；构成上述另一个光控晶闸管部分的上述第一扩散层与构成上述一个光控晶闸管部分的上述第二扩散层及第三扩散层相对置；在上述一对光控晶闸管部分之间产生的2个沟道相互不交叉而彼此平行，包括在上述衬底上构成上述一对光控晶闸管部分的2个上述第二扩散层之间形成以抑制载流子移动的载流子移动抑制区域。