[发明专利]具有氮化物电荷存储栅的与非型快闪存储器及其制造方法

摘要

一种NAND快闪存储单元阵列，其具有在位线扩散区和共源扩散区之间成行设置的堆叠成对的控制栅和电荷存储栅，选择栅位于每对堆叠的栅的两侧。每个堆叠对中的栅相互自对准，并且所述电荷存储栅是氮化物或氮化物和氧化物的组合。通过从所述硅衬底到电荷存储栅的热电子注入以在电荷存储栅中建立负电荷来完成编程。通过从电荷存储栅到硅衬底的沟道隧穿或者从硅衬底到电荷存储栅的热空穴注入完成擦除。所述阵列被偏置使得所有存储单元可以被同时擦除，而编程是可位选的。

主权项

1.一种NAND快闪存储单元阵列，包括：硅衬底；横过所述衬底延伸的单元行，每个单元具有电荷存储栅和叠置于所述电荷存储栅之上并与其对准的控制栅；在所述行的相对的端处靠近所述单元的行选择栅；置于所述单元之间的单元选择栅；在所述电荷存储栅和所述硅衬底之间的第一电介质层；在所述电荷存储栅和所述控制栅之间的第二电介质层；在所述选择栅和所述电荷存储栅之间的第三电介质层；在所述行的相对端处并邻近所述行选择栅的所述衬底中的位线扩散区和共源扩散区；位线；及将所述位线与所述位线扩散区互连的位线接触。