[发明专利]制造半导体组件的方法有效
| 申请号： | 200510076589.4 | 申请日： | 2005-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1815692A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 郑培仁;高瑄苓 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 王月珍 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体组件的方法，包括(a)提供一基板，基板上具有一栅极结构，其中，栅极结构包括一栅极介电层、一浮置栅极、一硅间介电层，以及一控制栅极，栅极介电层是位于基板上，浮置栅极是位于栅极介电层上，硅间介电层是位于一第一多晶硅层上，而控制栅极则位于硅间介电层上；(b.沉积一栅极侧壁绝缘层，以包围栅极结构且形成数个侧壁间隔层；(c)对基板与受包围的栅极结构进行一第一回火处理；以及(d)对基板与受包围的栅极结构进行一再氧化处理，使用含有氧与氮的混和气体进行稀释氧化。本发明可降低硅间介电层与穿隧氧化层受侵蚀的缺点，并可提高栅极耦合系数。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 组件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体组件的方法，其特征在于包括：提供一栅极结构；沉积一栅极侧壁绝缘层，包围所述栅极结构；对所述基板与所述受包围的栅极结构进行一第一回火处理；以及对所述基板与所述受包围的栅极结构进行一炉管氧化处理，使用含有氧与氮的混和气体进行稀释氧化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
