[发明专利]发光二极管的制法及其结构无效
| 申请号： | 200510074250.0 | 申请日： | 2005-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1874013A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 邓及人;黄国瑞;陈柏洲 | 申请（专利权）人： | 鼎元光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 文琦;陈肖梅 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的制法及其结构，其制法主要包括下列步骤：1.于基材上蚀刻出一凹槽；2.于凹槽底部以离子植入出二掺杂区以形成一双向二极管；3.蒸镀一金属电极于凹槽上；4.对金属电极加工，而将单一金属电极分为正、负二电极；以及5.将晶体结合于正、负二电极之间，并将其封装成型，以完成发光二极管的制作；而依上述步骤制出的发光二极管具有高效率发光、抗静电保护以及延长使用寿命等功效。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管的制法，其特征是，包括下列步骤：于基材上蚀刻出一凹槽；于凹槽底部以离子植入出二掺杂区以形成一双向二极管；蒸镀一金属电极于凹槽上；对金属电极加工，而将单一金属电极分为正、负二电极；将晶体结合于正、负二电极之间，并将其封装成型，以完成发光二极管的制作。
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