[发明专利]用于制造半导体装置的方法无效
| 申请号： | 200510069091.5 | 申请日： | 2005-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1702841A | 公开（公告）日： | 2005-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李载晳 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3115 | 分类号： | H01L21/3115;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 通过一种方法制造半导体装置时，可以不引入过多的杂质得到高质量电介质层，该方法包括在半导体衬底上的结构上形成下部布线层，在该下部布线层和该结构上形成具有折射率为0.45－1.55的富含硅的氧化物层，将碳和氧(例如，CO2)注入所述富含硅的氧化物(SRO)层，以及通过热处理已被注入的SRO层形成有机硅酸盐玻璃层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体装置的方法，包括：在半导体衬底上方的结构上形成下部布线层；在所述下部布线层和所述结构上形成具有折射率为0.45-1.55的富含硅的氧化物层；将来自碳和氧源材料的碳和氧注入所述富含硅的氧化物层；以及热处理所述已被注入的富含硅的氧化物层以形成有机硅酸盐玻璃层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
