[发明专利]制造具有双栅结构的半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200510068751.8 | 申请日： | 2005-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1691297A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 大内雅彦 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/337;H01L21/8234;H01L21/266;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造具有双栅结构的半导体器件的方法，包括：在不同的区域形成P型和N型栅硅层；向P型和N型栅硅层中注入P型和N型杂质；在P型和N型栅硅层上淀积一层金属膜；利用具有栅极图形的掩膜对金属膜形成图形；利用掩膜和形成图形的金属膜对P型和N型栅硅层进行形成图形，以留下P型和N型栅硅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 结构 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括以下连续的步骤：在硅衬底上连续地形成栅绝缘膜和硅层；从所述硅层形成P型和N型硅层；利用具有栅极图形的注入掩膜把P型或N型杂质注入到所述P型和N型硅层；利用具有栅极图形的刻蚀掩膜有选择地刻蚀所述P型和N型硅层，以留下P型和N型栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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