[发明专利]非易失性半导体存储器件及其多块擦除方法无效
| 申请号： | 200510067239.1 | 申请日： | 2005-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1694184A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李锡宪;李真烨;朴大植;金泰均;崔永准 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/16;G06F12/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹;邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储器件包括存储块和擦除控制器，该擦除控制器被配置成控制其中同时擦除至少两个存储块的多块擦除操作。根据一些实施例，在选择并同时擦除所选择的存储块之后，根据外部提供的擦除校验命令和块地址执行对每个已擦除存储块的擦除校验操作。根据一些实施例，当正在擦除所选择的存储块时，如果存储器件收到暂时中止命令，则擦除操作中止，并开始诸如读取操作的另一操作。当存储器件收到恢复命令时，恢复擦除操作。对其它实施例进行了描述并提出了权利要求。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 及其 擦除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种擦除非易失性半导体存储器件的方法，包括：选择存储块；同时擦除所述存储块；以及根据都是从外部提供的擦除校验命令和块地址，对所述存储块的每个执行擦除校验操作。
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