[发明专利]自对准分裂栅非易失存储器结构及其制造方法

摘要

提供了具有自对准的浮栅和控制栅结构的非易失分裂栅存储器单元和用于制造该存储器单元的示例性工艺，其对于分裂栅元件的相对长度和间隔提供了改善的尺寸控制。每个控制栅包括在相关浮栅的至少一部分的上方延伸的突出部分，该突出部分的尺寸由第一牺牲多晶硅间隙壁确定，当其被除去时，在中间绝缘结构中产生凹陷区域。然后形成控制栅以作为与中间绝缘结构相邻的多晶硅间隙壁，延伸到凹陷区域中的间隙壁部分决定了突出部分的尺寸和间隔以及将分裂栅电极的上部隔开的多晶硅间氧化物的厚度，由此提供改善的性能和可制造性。

主权项

1.一种形成分裂栅晶体管的方法，包括依次的以下步骤：a)形成绝缘结构，该绝缘结构具有带有凹陷区域和突出区域的侧壁表面，所述突出区域位于所述凹陷区域的下面；b)使用所述绝缘结构的突出区域作为蚀刻掩模，蚀刻半导体层以形成浮栅结构；c)在所述浮栅结构上形成绝缘层以形成包括所述浮栅结构并具有侧表面的中间绝缘结构，该侧表面包括凹陷区域；以及d)形成与所述中间绝缘结构相邻的控制栅结构，其中所述控制栅结构与所述侧表面相符并包括在所述浮栅结构的一部分的上方延伸的突出部分。