[发明专利]半导体摄像元件无效
| 申请号： | 200510064893.7 | 申请日： | 2005-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1681133A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 廣津寿一 | 申请（专利权）人： | 广津总吉 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;H01L27/14;H04N5/335 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 该半导体摄像元件的像素电路(1)包括在规定的结点(N10)中流过与入射光强度对应的电流的光电二极管(10)；当规定的结点(N10)的电位(VP)一升高就进行对数区动作的对数晶体管(11)；以及复位晶体管(12)，该复位晶体管(12)在规定的结点电位(VP)高于阈值电位(VP0)时，响应复位信号(RST)，将规定的结点电位(VP)复位，达到复位电位(VRL)，在规定的结点电位(VP)低于阈值电位(VP0)时，不进行复位动作。因此，在低照度的情况下，由于像素电路(1)的帧扫描速度下降，所以摄像极限照度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 摄像 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体摄像元件，其特征在于，包括配置成矩阵状的多个像素电路(1)，各像素电路(1)的帧扫描速度根据该像素电路(1)的入射光强度相应变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
