[发明专利]半导体可饱和吸收镜及其制作方法无效
| 申请号： | 200510056277.7 | 申请日： | 2005-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1848561A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 王翠鸾;王勇刚;林涛;王俊;郑凯;冯小明;仲莉;马杰慧;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：－衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；－布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；－多量子阱，采用低温生长技术该量子阱制作在布拉格反射镜上，该多量子阱由多对单量子阱构成，每对单量子阱包括：下垒层、吸收区和上垒层，该多量子阱起光吸收和光生载流子弛豫的作用；－介质膜，该介质膜制作在多量子阱的吸收区上，通过调整介质膜的反射率来改变半导体可饱和吸收镜的调制深度，从而可以获得不同规格的半导体可饱和吸收镜，同时还可以减少非饱和损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 饱和 吸收 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：—衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；—布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；—多量子阱，采用低温生长技术将多对量子阱制作在布拉格反射镜上，该多量子阱包括多对单量子阱，每对单量子阱包括：下垒层、吸收区和上垒层，该多量子阱起光吸收和光生载流子弛豫的作用；—介质膜，该介质膜制作在多量子阱的吸收区上，通过调整介质膜的反射率来改变半导体可饱和吸收镜的调制深度，从而可以获得不同规格的半导体可饱和吸收镜，同时还可以减少非饱和损耗。
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