[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效
| 申请号： | 200510055765.6 | 申请日： | 2005-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1670909A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李禹根;赵范锡;李制勋;郑敞午;金湘甲;吴旼锡;李永旭;崔熙焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G02F1/1368;G09G3/36;G09G3/38 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟;彭焱 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线及漏极；在数据线及漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分；利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层，以至少部分地露出漏极的一部分；除去光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去光致抗蚀剂，以在漏极的露出部分上形成像素电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在所述栅极线上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成数据线及漏极；在所述数据线及所述漏极上沉积钝化层；在所述钝化层上形成光致抗蚀剂，所述光致抗蚀剂包含第一部分和比所述第一部分薄的第二部分；利用将所述光致抗蚀剂作为掩模蚀刻所述钝化层，以至少部分地露出所述漏极的一部分；除去所述光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去所述光致抗蚀剂，以在所述漏极的露出部分上形成像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
