[发明专利]晶片的分割方法、装置、半导体器件的制造方法、制造装置有效
申请号: | 200510053418.X | 申请日: | 2005-03-07 |
公开(公告)号: | CN1667798A | 公开(公告)日: | 2005-09-14 |
发明(设计)人: | 清水纪子;田久真也;黑泽哲也 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/78;B28D5/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在沿着晶片的劈开面的晶片分割线或切片线上边,形成由沟和贯通孔中的至少一方构成的劈开起点;向上述劈开的起点内注入液状物质;和加上物理性地变化的外部因素使上述液状物质变化,利用该变化劈开上述晶片以分割成一个一个的半导体芯片。 | ||
搜索关键词: | 晶片 分割 方法 装置 半导体器件 制造 | ||
【主权项】:
1.一种晶片分割方法,包括:在沿着晶片的劈开面的芯片分割线或切片线之上,形成由沟和贯通孔中的至少一方构成的劈开起点;向上述劈开的起点内注入液状物质;和加上物理性地变化的外部因素使上述液状物质变化,利用该变化劈开上述晶片以分割成一个一个的半导体芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510053418.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造