[发明专利]硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长无效
| 申请号： | 200510052006.4 | 申请日： | 2005-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1824849A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 冯玉春;李冀;郭宝平;张建宝;李忠辉;李岩;牛憨笨 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/40;H01L21/205 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518060广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明阐述了一种硅单晶衬底上生长无微裂厚III族氮化物半导体单晶材料的新技术。该技术首先采用金属诱导纳米生长技术在硅单晶衬底上形成尺寸为纳米到微米数量级的图形2，以该纳米到微米数量级的图形为掩膜进行区域选择性外延生长，采用高温AlN成核层3加变组分AlGaN层4加高温GaN 5加低温AlN插入层6加高温变组分AlGaN 7加高温GaN 8外延生长III族氮化物半导体材料。并且在高温生长工艺完成后采用线性慢降温工艺，减少由于温度突变造成应力过大而引起的外延层微裂。硅衬底上纳米数量级的低应力图形介质薄膜将大大释放硅单晶衬底和III族氮化物半导体材料因热膨胀系数和晶格失配太大而造成III族氮化物外延单晶材料中的张应力，消除硅衬底上III族氮化物外延单晶材料中的微裂。区域选择性外延生长降低外延材料中的位错密度，从而提高III族氮化物半导体材料的晶体质量，改善外延III族氮化物半导体材料的光电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 氮化物 外延 生长 | ||
【主权项】：
1.硅单晶衬底上外延生长III族氮化物半导体单晶材料的新方法，其特征是首先在硅衬底上分别淀积一层金属诱导薄膜。
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