[发明专利]高介电常数栅介质PrAlxOy薄膜无效
| 申请号： | 200510030973.0 | 申请日： | 2005-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1794465A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 凌惠琴;陈寿面;李明;毛大立;杨春生 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种材料技术领域的高介电常数栅介质PrAlxOy薄膜，包含的组分及重量百分比为：Al2O31％～24％，其余为Pr2O3。当Al2O3重量百分比为12％时，PrAlxOy与硅的界面层最薄，等效介电常数为25。本发明所得PrAlxOy薄膜为非晶薄膜，经800℃快速热处理5分钟仍保持非晶状态，结晶温度高，与硅片的界面稳定性好。PrAlxOy薄膜具有高介电常数和低漏电流的性质，不仅可用于MOSFET结构中的栅介质材料，也可用于射频电路和混合信号集成电路中MIM结构的绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 介质 pral sub 薄膜 | ||
【主权项】：
1、一种高介电常数栅介质PrAlxOy薄膜，其特征在于，包含的组分及重量百分比为：Al2O31％～24％，其余为Pr2O3。
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