[发明专利]脉冲激光法制备β－FeSi2单晶的方法无效
| 申请号： | 200510018200.0 | 申请日： | 2005-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1680636A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 周幼华;郑启光;陆培祥 | 申请（专利权）人： | 江汉大学;华中科技大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/10;C30B29/52 |
| 代理公司： | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人： | 俞鸿 |
| 地址： | 430056湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种脉冲激光法制备β－FeSi2单晶的方法。它是以FeSi2合金为靶材，以硅或石英或铁为基片置于脉冲激光真空镀膜机内，将基片加热到400℃－800℃并保温，以108－1011W/cm2的峰值功率密度的激光束照射靶材，使靶材产生微爆炸，由此靶材被激光束剥离产生的等离子体、微液滴、微晶粒在基片上沉积；以脉冲激光照射靶材产生的β－FeSi2微单晶为仔晶，等离子体和微液滴依托仔晶外延生长β－FeSi2单晶。该方法可避免由于各种元素质量不同在输运过程中造成的成分偏离，也可避免不同种类的原子与基片之间，因溅射率或饱和蒸汽压不同而引起的成分的偏离。微液滴也会沉积在基片上形成外延生长，沉积速度快，可达每秒几纳米的量级。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 激光 法制 fesi sub 方法 | ||
【主权项】：
1、一种脉冲激光法制备β-FeSi2单晶的方法，它是以FeSi2合金为靶材，以Si(111)或Si(100)或石英或铁为基片置于脉冲激光真空镀膜机内，将基片加热到400℃-800℃并保温，以108-1011W/cm2的峰值功率密度的激光束照射靶材，使靶材产生微爆炸，由此靶材上被激光束剥离产生的等离子体、微液滴、微晶粒在基片上沉积，以脉冲激光照射靶材产生的β-FeSi2微单晶为仔晶，等离子体和微液滴依托仔晶外延生长β-FeSi2单晶。
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