[发明专利]一种制备多晶硅的方法

摘要

本发明属于半导体材料领域，是一种制备多晶硅的方法。本发明将直接沉积在玻璃基板上的非晶硅薄膜，用金属诱导—双次激光退火的方法晶化为多晶硅。首先在普通玻璃基板上制备一层高品质的非晶硅薄膜，然后在非晶硅薄膜上制备一薄层金属镍，并将金属镍光刻成细线，对样品进行一次激光退火，一次激光退火结束后，去除非晶硅薄膜上多余的金属镍，之后对已经去除多余的金属镍的非晶硅薄膜进行二次激光退火，使非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜。用激光退火取代传统的热退火，不仅缩短了晶化周期而且降低了衬底温度。制备的多晶硅薄膜适于制备薄膜晶体管。金属诱导横向晶化区作为薄膜晶体管的导电沟道因为没有与电场垂直的晶界，故而提高了迁移率并降低了器件的阈值电压。

主权项

1、一种制备多晶硅的方法，其特征是在普通玻璃基板(1)上制备一层高品质的非晶硅薄膜(2)，然后在非晶硅薄膜(2)上制备一薄层金属镍薄膜(3)，并将金属镍薄膜(3)光刻成细线成为样品；对样品进行一次激光退火，一次激光退火结束后，去除非晶硅薄膜(2)上多余的金属镍，之后对已经去除多余的金属镍的非晶硅薄膜(6)进行二次激光退火，使非晶硅薄膜(6)晶化为多晶硅薄膜(7)。