[发明专利]具有横向达通二极管的电阻(R)－电容(C)－二极管(D)网络薄膜集成电路结构与制造

摘要

本发明公开一种具有横向达通二极管的电阻(R)－电容(C)－二极管(D)网络薄膜集成电路结构及制作，采用普通硅片(P)制作具有高导电层和过冲电压保护的网络薄膜集成电路，不采用硅外延或外延工艺，并且缩短工艺流程，降低集成电路制造成本。本发明中硼扩散形成的P⁺ (11)区，既为集成电路的公共接地导电层，又是交叉脂状横向“达通”二极管(D)的“基区”和电容(C)的下电极，磷扩散形成的N⁺ (22)是横向“达通”二极管的“发射区”。P⁺区和N⁺区之间W区是横向“达通”二极管反向偏压时的达通区。采用化学气相沉积法制造出硅片表面上的SiO₂和Si₃N₄绝缘电介质层(31)，它也是电容(C)的电介质层；再在此电介质层上沉积制作电阻(R)(32)和电容(C)(33)的掺磷多晶硅层。金属铝层作为金属化层，光刻后，形成电路内互连线，压点区铝层(43)和接地区(G)的压焊点。沉积掺磷SiO₂ (34)形成芯片钝化层，光刻出压焊点(43)和接地点(G)制成芯片。

主权项

1.一种具有横向达通二极管的电阻(R)-电容(C)-二极管(D)网络薄膜集成电路结构，共有数值相同的4×N(N为正整数)个电阻器和4×N个电容器Ci(i＝1，2………16)，以及4×N个二极管Di(i＝1，2………16)，以及N个接地点Gi(i＝1，2，3，4)；串联的电阻-电容，并联上二极管；电容的一个电极及与之相连的二极管阳极(基区)与地相连；电容的另一个电极板与电阻器一端相连，电阻器另一端与二极管阴极(发射区)相连，共同形成一个与外电路连接的连接点Pi(i＝1，2………16)；每4个电阻-电容-二极管组合，结构相对于对称线CL1和CL2成对称分布，经复制，可以得到16个电阻-电容-二极管组合及4个接地点Gi(i＝1，2，3，4)；其特征在于：利用普通电阻率硅片，制造横向达通击穿交叉脂状结构二极管，硼扩散形成的P+(11)区，既为集成电路的公共接地导电层，又是交叉脂状横向“达通”二极管(D)的“基区”和电容(C)的下电极，磷扩散形成的N+(22)是横向“达通”二极管的“发射区”；P+区和N+区之间W区是横向“达通“二极管反向偏压时的达通区；采用化学气相沉积法制造出硅片表面上的SiO2和Si3N4绝缘电介质层(31)，是电容(C)的电介质层；再在此电介质层上沉积制作电阻(R)(32)和电容(C)(33)的掺磷多晶硅层；金属铝层作为金属化层，光刻形成电路内互连线，压点区铝层(43)和接地区(G)的压焊点；沉积掺磷SiO2(34)形成芯片钝化层，光刻出压焊点(43)和接地点(G)。