[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法

摘要

为了防止薄膜片(2)随着用于防止多层布线衬底(1)弯曲的卡支架变厚而被掩埋到卡支架内而造成探针(7)不能可靠地接触到测试焊盘这种情况的出现，形成在仅对薄膜片(2)的中心区域(IA)施加张力的状态下粘结薄膜片(2)和粘结环(6)而不对外周区域(OA)施加张力的结构，通过增加规定到薄膜片(2)的探针面的高度的粘结环(6)的高度来增加到薄膜片(2)的探针面的高度。

主权项

1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)准备半导体晶片的步骤，其中半导体晶片被划分成多个芯片区域且在上述多个芯片区域中分别形成有半导体集成电路，在上述半导体晶片的主面上形成有与上述半导体集成电路电连接的多个第一电极；(b)准备第一卡的步骤，其中第一卡包括：形成有第一布线的第一布线衬底；第一片，形成有用于接触上述多个第一电极的多个接触端子和与上述多个接触端子电连接的第二布线，上述第二布线与上述第一布线电连接，上述多个接触端子的顶端与上述半导体晶片的主面相对而被保持在上述第一布线衬底上；多个弹簧针，从与安装有上述第一片的第一面相反的一侧的第二面接触上述第一布线衬底，并向上述多个接触端子分别传送电信号；粘结环，使上述第一片中形成有上述多个接触端子的第一区域从上述第一衬底离开而一面施加张力一面保持；推压机构，从背面推压上述第一片中的上述第一区域；以及第一固定衬底，从上述第一面方向固定上述第一布线衬底；(c)使上述多个接触端子的上述顶端与上述多个第一电极相接触来进行上述半导体集成电路的电检测的步骤，其中，上述多个接触端子的上述顶端分别在上述第一片的主面上与上述多个第一电极中的对应的电极相对而配置，上述第一片中包围上述第一区域的第二区域以松弛的状态被保持在上述第一衬底上。