[发明专利]电路、多层电路及其制造方法无效
| 申请号： | 200480038038.2 | 申请日： | 2004-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1914964A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | E.·克利福德·小罗森;斯科特·D.·肯尼迪;多丽斯·I.·汉德;迈克尔·S.·怀特;艾伦·F.Ⅲ·霍恩 | 申请（专利权）人： | 环球产权公司 |
| 主分类号： | H05K3/46 | 分类号： | H05K3/46;H05K1/03 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 制造包括液晶聚合物层的多层电路的方法，该方法包括用足以将晶体提高到高于液晶聚合物层的向列熔点至少约10℃的热量处理多层电路，向列熔点由差示扫描量热计测量中高于玻璃态转变温度的峰值吸热确定。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 多层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、制造电路的方法，所述电路包括布置在液晶聚合物层上的已电路化的传导层，液晶聚合物层具有Tg及第一晶态到向列熔点，该熔点由差示扫描量热计测量中高于玻璃态转变温度的峰值吸热确定，该方法包括在Tg和第一熔点之间的温度处理电路以足以将第一熔点升高到第二晶态到向列熔点，所述熔点由差示扫描量热计测量中高于玻璃态转变温度的峰值吸热确定，其中第二熔点至少高于第一熔点10℃。
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