[发明专利]钽酸锂基板及其制造方法有效
申请号: | 200480027666.0 | 申请日: | 2004-10-07 |
公开(公告)号: | CN1856598A | 公开(公告)日: | 2006-11-01 |
发明(设计)人: | 梶谷富男;角田隆 | 申请(专利权)人: | 住友金属矿山株式会社 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B33/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫;王玉双 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明特征在于,将用丘克拉斯基法生长的钽酸锂晶体加工成基板状态所得到的LT基板,包埋在Al和Al2O3的混合粉末中,在350~600℃的保持温度下进行热处理,来制造出将体积电阻率控制在超过108Ω·cm而不足1010Ω·cm的范围的钽酸锂基板。所得到的基板中不存在热电性,并且,从无色透明变成有色不透明的同时,充分具有作为压电材料的特性。 | ||
搜索关键词: | 钽酸锂基板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种钽酸锂基板,其特征在于,其体积电阻率被控制在超过108Ω·cm而不足1010Ω·cm的范围。
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