[发明专利]粘接膜及使用该粘接膜的金属制膜方法有效
| 申请号： | 200480024999.8 | 申请日： | 2004-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1846295A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 才本芳久;片冈真;五十岚康二;早川慎一 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/68;C09J7/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及防止半导体晶片在金属制膜时的金属非制膜面的损伤，还能够减少晶片表面污染的粘接膜。通过用在至少层叠1层气体透过度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜的基材膜的单表面形成有粘接剂层的粘接膜，保护金属非制膜面，可以省却使用溶剂的清洗工序，进而还可以减少金属非制膜面的污染性，提高生产率和作业性。 | ||
| 搜索关键词： | 粘接膜 使用 金属 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体晶片电路非形成面的金属制膜方法，其特征为，通过把在至少具有1层气体透过度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜的基材膜的单表面形成有粘接剂层的粘接膜，粘贴到半导体晶片电路形成面(金属非制膜面)，而进行金属制膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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