[发明专利]超薄背发光光电二极管阵列结构及制造方法

摘要

超薄背发光光电二极管阵列和制造方法。光电二极管阵列是具有第一导电型基底的背发光光电二极管阵列，所述基底具有第一和第二表面，所述第二表面具有一第一导电型层，所述第一导电型层具有比所述基底大的电导率。所述阵列还具有第一导电型区域的矩阵，所述区域具有比所述基底大的电导率，该区域的矩阵从基底的第一表面延伸到所述具有比基底大的电导率的第一导电型层；多个散布在第一导电型区域的矩阵内的第二导电型区域，该第二导电型区域没有延伸至基底第二表面上的第一导电型层；以及多个第一表面上的触点，用于电连接至所述第一导电型区域的矩阵和所述多个第二导电型的区域。

主权项

1.一种背发光光电二极管阵列，其包括：第一导电型的基底，其具有第一和第二表面；所述第二表面具有导电率大于所述基底的第一导电型层；导电率高于所述基底的第一导电型区域的矩阵，从所述基底的所述第一表面延伸至导电率大于所述基底的所述第一导电型层；第二导电型的多个区域，散布在所述第一导电型的区域矩阵内部，但没有延伸至在所述基底第二表面上的所述第一导电型层；和在第一表面上的多个触点，用于实现与所述第一导电型区域的矩阵和第二导电型的多个区域电连接。