[发明专利]利用自对准后栅极控制前栅极绝缘体上硅MOSFET的器件阈值有效
| 申请号： | 200480021683.3 | 申请日： | 2004-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1830090A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | R·登纳德;W·亨施;H·哈纳菲 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了SOI CMOS技术，利用该技术将多晶硅后栅极用于控制前栅极器件的阈值电压，并且nMOS和pMOS后栅极彼此和与所述前栅极无关地切换。具体地说，本发明提供了一种制造后栅极型完全耗尽的CMOS器件的方法，其中所述器件的后栅极与所述器件的前栅极以及源极/漏极延伸自对准。这样的结构使电容最小，同时提高了器件和电路性能。利用现有的SIMOX(氧离子注入隔离)或接合SOI晶片、晶片接合和减薄、多晶Si蚀刻、低压化学气相沉积以及化学机械抛光，制造本发明的后栅极型完全耗尽的COMS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 对准 栅极 控制 绝缘体 mosfet 器件 阈值 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：提供一结构，所述结构包括载体晶片，位于所述载体晶片上的氧化物层，位于所述氧化物层上的多晶Si后栅极，位于所述多晶Si后栅极上的后栅极介质，以及位于所述后栅极介质上的含Si层；在部分所述含Si层中形成沟道区；在所述沟道区上形成包括前栅极介质、前多晶Si栅极和牺牲隔离物的前栅极区；在所述结构中形成底切浅沟槽隔离区；去除所述牺牲隔离物，并在所述沟道区中形成源极/漏极延伸；以及在所述沟道区的顶部形成栅极隔离物和在所述沟道区中形成源极/漏极区，其中所述多晶Si后栅极与所述前多晶Si栅极以及所述源极/漏极延伸自对准。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480021683.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双极性晶体管及相关的制造方法
- 下一篇：广播频道变更检测装置
- 同类专利
- 专利分类
