[发明专利]对单晶化学气相沉积金刚石进行退火有效
| 申请号： | 200480020153.7 | 申请日： | 2004-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1853001A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | R·J·赫姆利;H－K·毛;志学颜 | 申请（专利权）人： | 华盛顿卡内基研究所 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沙捷 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种通过使CVD金刚石升高到在金刚石稳定相之外的至少1500℃的设定温度和至少4.0GPa的压力来改进CVD金刚石光学透明度的方法，在这里该CVD金刚石是单晶CVD金刚石。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 金刚石 进行 退火 | ||
【主权项】：
1.一种通过将CVD金刚石升高到在金刚石稳定相之外的至少1500℃的设定温度和至少4.0GPa的压力来改进CVD金刚石光学透明度的方法，其中所述的CVD金刚石是单晶CVD金刚石。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
