[发明专利]高阻抗射频功率塑料封装有效
| 申请号： | 200480014807.5 | 申请日： | 2004-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1795549A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J·麦克劳克林;亚历山大·J·埃利奥特;L·M·玛哈林甘;斯克特·D·马歇尔;皮埃尔－马里·J·皮耶尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李涛;钟强 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容涉及RF功率半导体器件。根据本公开内容的一个实施例，RF功率半导体器件(10)包括：半导体(RF)器件(12)；低温共烧陶瓷(LTCC)阻抗匹配结构(14)，其电气连接到RF器件；和塑料封装体(22)，其形成在RF器件和阻抗匹配结构上。LTCC阻抗匹配结构包括金属化层(28、36)，其覆盖该阻抗匹配结构的主体部分，并且包括金属化层上的钝化层(44)。该钝化层增强了塑料封装体的成型化合物对于金属化层的接合强度。部分金属化层通过钝化层暴露出来，用于能够在LTCC阻抗匹配结构和RF器件之间形成电气互连。优选地，根据本公开内容的实施例的RF功率塑料封装呈现出至少两倍于传统的RF功率塑料封装的终端阻抗的终端阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 阻抗 射频 功率 塑料 封装 | ||
【主权项】：
1.一种射频功率半导体器件，包括：射频(RF)器件；阻抗匹配结构，其电气连接到RF器件；和塑料封装体，其形成在RF器件和阻抗匹配结构上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
