[发明专利]含有铁磁/反铁磁灵敏元件的磁致电阻传感器有效
| 申请号： | 200480012325.6 | 申请日： | 2004-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1784610A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 米歇尔·赫恩;阿兰·舒尔;格雷戈里·马利诺夫斯基;克里斯托弗·尼科特;克里斯托弗·杜雷特 | 申请（专利权）人： | S.N.R.鲁尔门斯公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于磁场的磁致电阻传感器，其包括参考元件(2)、分隔元件(3)和对磁场灵敏的元件(4)的堆叠(1)，其中参考元件(2)和灵敏元件(4)分别具有在第一和第二方向上的第一和第二磁各向异性(5、6)。灵敏元件(4)包括铁磁材料(FM1)的层和反铁磁材料(AF1)的层的重叠，布置该重叠以给出磁矩(10)，其在待测场方向上的分量作为待测磁场的函数可逆地且在可调的场范围中线性地变化。本发明还涉及这样地传感器的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 反铁磁 灵敏 元件 致电 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磁致电阻磁场传感器，包括参考元件(2)、分隔元件(3)和对磁场灵敏的元件(4)的堆叠(1)，其中该参考元件(2)和该灵敏元件(4)分别具有在第一和第二方向上的第一和第二磁各向异性(5、6)，所述传感器特征在于该灵敏元件(4)包括铁磁材料(FM1)的层和反铁磁材料(AF1)的层的重叠，其被布置为得到磁矩(10)，其取向在待测场方向上的分量关于待测磁场的强度可逆地变化，且在可调场范围中线性地变化。
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