[发明专利]微机电系统(MEMS)器件与制造它们的系统和方法有效
| 申请号: | 200480008168.1 | 申请日: | 2004-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN1764595A | 公开(公告)日: | 2006-04-26 |
| 发明(设计)人: | E·巴尔-萨德;A·塔拉尔耶夫斯基;E·金斯伯格 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00;B81B7/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李玲 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 简要地,减少衬底的微机电系统(MEMS)器件,例如,低损耗薄膜腔声谐振器(FBAR)滤波器或低损耗FBAR射频滤波器,和生产它们的工艺和方法。依据本发明的实施例的减少衬底的MEMS器件可包括粘结在封装部分间的膜片。根据本发明实施例的工艺可包括把第一封装部分粘结至包括支承衬底的MEMS器件,去除支承衬底,并且把第二封装部分粘结至MEMS器件。 | ||
| 搜索关键词: | 微机 系统 mems 器件 制造 它们 方法 | ||
【主权项】:
1.一种器件,其特征在于,它包括:膜片,它具有第一和第二侧面;第一封装部分,它被附着至所述膜片的第一侧面;以及第二封装部分,它被附着至所述膜片的第二侧面,其中所述第一和第二封装部分以及所述膜片都不包括实质性的支承衬底。
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