[发明专利]用于碳化硅的包含主要由镍组成的层的反射式欧姆接触及其制造方法以及包含该接触的发光器件有效
| 申请号： | 200480003804.1 | 申请日： | 2004-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1748325A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | D·B·小斯拉特;H·哈格莱特纳 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于n型碳化硅的反射式欧姆接触包括碳化硅上的主要由镍组成的层。主要由镍组成的层配置成向碳化硅提供欧姆接触，并允许从碳化硅射出的光辐射由此透射。反射层在主要由镍组成的层上，在碳化硅的对面。阻挡层在反射层上，在主要由镍组成的层对面，并且固结层在阻挡层上，在反射层的对面。已经发现，主要由镍组成的层和其上的反射层可以为碳化硅提供低欧姆损耗和/或高反射率的反射式欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 碳化硅 包含 主要 组成 反射 欧姆 接触 及其 制造 方法 以及 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于碳化硅的反射式欧姆接触，包括：主要由镍组成的层，在所述碳化硅上，其配置为向所述碳化硅提供欧姆接触，并允许从所述碳化硅射出的光辐射由此透射；反射层，在所述主要由镍组成的层上在所述碳化硅的对面；阻挡层，在所述反射层上在所述主要由镍组成的层对面；以及固结层，在所述阻挡层上在所述反射层的对面。
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