[发明专利]气化器和半导体处理装置无效
| 申请号： | 200480000341.3 | 申请日： | 2004-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1698186A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 饭塚八城 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/448 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种气化器，具有气化液体原料来形成气体原料的气化室(110)。为了向气化室喷雾液体原料，配设喷雾部(120)。为了从气化室向气体出口(131SO)送出气体原料，配设送出部(130)。配设用于加热气化器的加热部(112、132)。送出部(130)具有过滤部件(133)，其覆盖气体出口使得通过气体原料。在气体出口的相反侧配设覆盖过滤部件的遮挡板(134)。 | ||
| 搜索关键词： | 气化 半导体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种气化器，其特征在于，具有：气化室，气化液体原料来形成气体原料；喷雾部，向所述气化室喷雾所述液体原料；送出部，从所述气化室向气体出口送出所述气体原料；和加热部，加热所述气化器，所述送出部具有：过滤部件，使所述气体原料通过地覆盖所述气体出口；和传热部件，将所述加热部的热量传导到所述过滤部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
