[发明专利]绝缘栅极型半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410103716.0 | 申请日： | 2004-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1645628A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 恩田全人;久保博稔;宫原正二;石田裕康;斋藤洋明 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种绝缘栅极型半导体装置及其制造方法，其解决由于层间绝缘膜从衬底表面突出而产生的如下可靠性问题等，在形成于其上的源电极上产生有分步敷层，引线结合时的应力使层间绝缘膜或衬底产生裂纹，而不能均匀地形成源电极而配线电阻增大。将层间绝缘膜完全埋入槽内。由此，由于源电极可大致平坦地在栅电极上部形成，故可防止分步敷层产生的不良。在裂纹，源极区域底盘区域、层间绝缘膜形成的三个工序中使用一片掩膜，可减小掩膜的对准误差的裕量，可实现比线宽限制的限界值更紧缩的设计。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅极 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，包括：作为漏极区域的单导电型半导体衬底；设于所述漏极区域表面上的逆导电型沟道层；贯通所述沟道层设置的槽；设于该槽内壁的栅极绝缘膜；埋入所述槽内的栅电极；邻接所述槽设置的单导电型源极区域；埋入所述槽内，中心附近的膜厚比周边部的膜厚薄的层间绝缘膜；大致平坦地覆盖所述栅电极上，和所述源极区域接触的源电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410103716.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像信号处理装置
- 下一篇：适合于ADSL传输的用于电话线的滤波器
- 同类专利
- 专利分类
