[发明专利]金属硅化栅极及其形成方法有效
| 申请号： | 200410102595.8 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1722369A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 吴启明;林正堂;王美匀;张志维;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335;H01L21/8234;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种金属硅化栅极及其形成方法，其形成方法适用于具有至少一栅极以及多个主动区的一基底，包括下列步骤：借由一第一材料以于该些主动区上形成一第一金属硅化物，该第一金属硅化物具有一第一厚度；以及借由一第二材料以于该栅极内形成一第二金属硅化物，其中该第二金属硅化物具有一第二厚度，其中该第二厚度较该第一厚度为厚，且形成该第二金属硅化物时，该些主动区内的该第一金属硅化物具有阻障功能，可避免于该些主动区内产生金属二次硅化。本发明可明显改善其超浅接合结构的可靠度，可在不增加接合漏电流的情形下减少于主动区与栅电极的寄生电阻、片电阻、以及接触电阻，且可避免接合漏电流或尖峰放电情形。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 栅极 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属硅化栅极的形成方法，适用于具有至少一栅极以及多个主动区的一基底，其特征在于所述金属硅化栅极的形成方法包括下列步骤：借由一第一材料以于该主动区上形成一第一金属硅化物，该第一金属硅化物具有一第一厚度；以及借由一第二材料以于该栅极内形成一第二金属硅化物，该第二金属硅化物具有一第二厚度，其中该第二厚度较该第一厚度为厚，于形成该第二金属硅化物时，该主动区内的该第一金属硅化物具有阻障功能，可避免该主动区内产生金属二次硅化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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